RU1Z200Q دیتاشیت

RU1Z200Q

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RU1Z200Q
حجم فایل 81.84 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت RU1Z200Q

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Shenzhen ruichips Semicon RU1Z200Q
  • Power Dissipation (Pd): 600W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 150V
  • Continuous Drain Current (Id): 200A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.5mΩ@10V,90A
  • Package: TO-247-3
  • Manufacturer: Shenzhen ruichips Semicon

محصولات مشابه